Keramische Dünnschichtschaltung

Ihr zuverlässiger Experte für die Herstellung von Dickschicht- und Dünnschichtschaltungen und Sensoren.
Jahrelange technologische Anhäufung.
Unser Unternehmen bietet Durchsteckmetallisierung für Schaltungen auf Aluminiumoxid-, Aluminiumnitrid-, Berylliumoxid- und Mikrowellensubstraten an, die halb- oder vollflächig geerdet sein können. Der Durchsteckwiderstand darf 50 Milliohm nicht überschreiten. Keramische Dünnschichtschaltungen

Maßgeschneidert Bieten Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen an.
Blockwiderstandswert 20~100Ω
Temperaturkoeffizient des Widerstands (-55 bis +125 °C) / ≤±150 ppm/°C
Widerstandsfähigkeit (2000 Stunden, 125 °C) / ≤±0,025 %

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Produktdetails

Vorteile

Fünf Vorteile für ein optimales Nutzererlebnis.

Mehrere Produktzertifizierungen

Exquisite Handwerkskunst

Leicht

Kleine Größe

Lange Lebensdauer

Besonderheit

☑ Hohe Integration und geringe Größe.

☑ Breites Spektrum an Komponentenparametern und hohe Genauigkeit.

☑ Hohe mechanische Belastbarkeit, gute Temperatur-Frequenz-Charakteristik und gute Isolationseigenschaften.

☑ Mit Einfallsreichtum gefertigt, die Wahl für Qualität.

Produkteigenschaften und Anwendungsbereich

Funktionale Dünnschichten werden auf Substraten wie Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Berylliumoxid, Ferrit, mikrokristallinem Glas, Quarz etc. abgeschieden. Dünnschichtinduktivitäten, Dünnschichtwiderstände, Dünnschichtkondensatoren, Mikrostreifenleitungen etc. werden auf derselben Leiterplatte integriert, um Dünnschichtschaltungen zu realisieren. Diese ermöglichen Frequenzen bis zu 40 GHz und zeichnen sich durch hohe Integration und geringe Größe aus. Das Produktportfolio umfasst Dünnschichtschaltungen, Keramikträgerplatten, Kurzschlussplatten und Kühlkörperplatten, dielektrische Substrate für Mikrowellen, vorgeformte Gold-Zinn-Lötpads etc. Die Lösungen eignen sich für die Frequenzbandanforderungen der meisten Mikrowellen-HF-Komponentenmodule, wie z. B. Dünnschicht-Mikrostreifenschaltungen und Dünnschichtfilter.

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Produktparameter

Produktname	Keramische Dünnschichtschaltung
Maßgeschneidert	Bieten Sie maßgeschneiderte Dienstleistungen an.
Blockwiderstandswert	20~100Ω
Theoretische Leistungsdichte (W/mm2)	5 (1,0 × 1,0 mm) 99,6 % 0,254 Al₂O₃
	9 (1,0 × 1,0 mm) 98 % 0,254 AlN
	12 (1,0 × 1,0 mm) 99,5 % 0,254 BeO
Temperaturkoeffizient des Widerstands	(-55 bis +125 °C) / ≤±150 ppm/°C
Widerstandsfähigkeit	(2000 Stunden, 125 °C) / ≤±0,025 %
Kurzfristige Fähigkeit, hohen Temperaturen standzuhalten	-55 °C bis +850 °C
Widerstandsgenauigkeit	±10%, ±15%, ±20%, (±5% optional)
Wichtige Materialien	Hochleistungsfähige Präzisionskeramiken wie Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Berylliumoxid, mikrokristallines Glas, Quarz usw.

Substrat und Leistung

Attribut	Aluminiumoxid	Aluminiumnitrid	Berylliumoxid	Quarz
Reinheit	99,60 %	98 %	99,50 %	99,50 %
Oberflächenrauheit	0,05∽0,20μm	0,10∽0,20μm	0,10∽0,20μm	0,01∽0,05μm
Dichte	3,87 g/cm³	3,28 g/cm³	2,85 g/cm³	2,65 g/cm³
Verwerfung	0,2–0,3	0,3–0,5	0,3–0,5	0,3–0,8
Wärmeausdehnungskoeffizient	7,0–8,3 (25–1000 °C) ×10⁻⁶/°C	4,6–5,0 (25–300 °C) ×10⁻⁶/°C	8,0–10 (25–1000 °C) × 10⁻⁶/°C	0,55–0,60 (25–1000 °C) × 10⁻⁶/°C
Wärmeleitfähigkeit	26,9 W/mK	≥170 W/mK	≥270 W/mK	9,5–10 W/mK
Dielektrizitätskonstante	9,9 ± 0,1 bei 1 MHz	8,6 ± 0,2 bei 1 MHz	6,5 ± 0,2 bei 1 MHz	3,3 ± 0,2 bei 1 MHz
Dielektrizitätskonstante	9,5 ± 0,2 bei 10 GHz	8,3 ± 0,2 bei 10 GHz	6,1 ± 0,2 bei 10 GHz	3,0 ± 0,2 bei 10 GHz
Dielektrischer Verlust	0,0001 @1MHz	0,001 @1MHz	0,0004 @1MHz	0,0002 @1MHz
Qualitätsfaktor	5000 @10GHz	500 @10GHz	400 @10GHz	3000 @10GHz
Dielektrischer Code	( T ) A	( T ) N	( T ) B

Metallisierungssystem

Funktion	Metall	Ausmaß	Anmerkungen
Widerstandsschicht	Bräunen	10-200 Ohm pro Quadratmeter	Standardwiderstand 50, 75100 Euro/Quadratmeter
Haftschicht	Von	800–1200 Å	Oberflächenglätte des Substrats Ra ≤ 10 nm, bei Verwendung von Ti als Haftschicht
	TiW	800–1200 Å	Die am häufigsten verwendete Klebeschicht
	NiCr	300–800 Å	Optionale Klebeschicht
	Pt	300–800 Å
	Bräunen	200–600 Å
Barriereschicht	In	Üblicherweise 0,1–0,2 μm, maximal 2,0 μm	Sicherstellung der Zuverlässigkeit von SnPb- und AuSn-Schweißungen
Leitungsbandschicht	Mit	1,0–75 μm, üblicherweise 10–35 μm
Leitungsbandschicht	Bei	0,5–8,0 μm, üblicherweise ≥ 4,0 μm

Anwendungsfälle

Dünnschichtfilter werden häufig in verschiedenen Mikrowellenkomponenten und -systemen als Funktionseinheit zur Frequenzselektion eingesetzt. In der Luft- und Raumfahrt werden keramische Dünnschichtschaltungen aufgrund ihrer hohen Integration, geringen Größe und ausgezeichneten Temperaturstabilität häufig zur Herstellung hochpräziser Mikrowellenschaltungsmodule wie rauscharmer Verstärker, Filter und Phasenschieber verwendet. Auch in Rechenzentren, 5G-Basisstationen, Elektrofahrzeugen, intelligenter Sensorik und anderen Bereichen findet die Anwendung keramischer Dünnschichtschaltungen stetig wachsender Beliebtheit. Aufgrund ihrer hohen Präzision und Zuverlässigkeit steigt die Nachfrage in diesen Anwendungsszenarien kontinuierlich.

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